半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)品的核心，代表著信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)。我國近年來不斷加大對半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)投入，一改以往國產(chǎn)芯片水平落后的局面。國產(chǎn)自研芯片也越來越多，華為麒麟990 5G、虎賁T7520、玄鐵910等國產(chǎn)芯片，都成為了國產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)域中實現(xiàn)突破的實例。如今的華為海思、紫光展銳，都可以和高通、三星、聯(lián)發(fā)科等國際領(lǐng)先的芯片公司一爭高下。而國內(nèi)還有一家半導(dǎo)體芯片巨頭，默默無聞了四年時間內(nèi)，最近一舉成名，打破了國外芯片的壟斷地位。

最近，長江存儲正式對外宣布：128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，同時這顆X2-6070閃存芯片還直接刷新了三項記錄，分別是：已知業(yè)界最大單位面積存儲密度、最高傳輸速度、最高單顆NAND存儲芯片容量。從目前長江存儲所研發(fā)的閃存芯片來看，可以和擁有的“128層堆疊技術(shù)水平”的三星相媲美。

要知道在長江存儲剛成立的時候，國產(chǎn)內(nèi)存芯片幾乎依賴于進(jìn)口。我國作為全球最大的芯片需求國，雖然國內(nèi)半導(dǎo)體市場接近全球的三分之一，但國內(nèi)半導(dǎo)體自給率水平非常低，特別是核心芯片極度缺乏，國產(chǎn)占有率都幾乎為零。而芯片關(guān)乎到國家的安全，國產(chǎn)化迫在眉睫。國家因此也將研發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)提升至國家戰(zhàn)略高度，近年來也是不斷地加大對國產(chǎn)芯片企業(yè)的扶持力度。不得不說大基金投資的成果顯著，推動了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2016年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科投等，一起聯(lián)合成立了長江存儲。長江存儲成立之初，其技術(shù)研發(fā)上就一直落后于三星等廠商。直到長江存儲推出一項突破性的技術(shù)——Xtacking技術(shù)，能夠直接提高3D NAND閃存的I/O高性能，以及更高的存儲密度。通過對技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，長江存儲已經(jīng)走過了32層、62層的閃存歷程，現(xiàn)在更是成功研發(fā)出128層的兩款產(chǎn)品，這確立了公司在存儲行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力，并打破了被美、日、韓把控的內(nèi)存定價權(quán)以及市場的壟斷，達(dá)到了國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。這也意味著我國進(jìn)一步降低對于國外芯片產(chǎn)品的依賴。

作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短幾年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越，這是數(shù)千長存的科研人員汗水和心血的凝聚的成果?？梢钥吹皆絹碓蕉嗟膰a(chǎn)廠商在不斷地尋求技術(shù)的突破，雖然國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)還存在一些劣勢和缺點，但是相信他會越來越好，讓我們期待越來越多的國產(chǎn)芯片誕生。

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