自蘋果M1芯片發(fā)布以來，可謂是一石激起千層浪，在性能方面完全碾壓擠牙膏多年的英特爾處理器。

有媒體報(bào)道稱，蘋果將“乘勝追擊”，會(huì)在在未來幾年內(nèi)推出性能更強(qiáng)的第2代和第3代Apple Silicon芯片，其中最快于2023年推出由臺(tái)積電代工的3nm Mac芯片，也就是第三代Apple Silicon芯片，其內(nèi)部代號(hào)分別為“Ibiza”、“Lobos”以及“Palma”，這些芯片最多將采用四個(gè)Die的設(shè)計(jì)，最高集成40核 CPU。

這也意味著明年蘋果推出的二代Apple Silicon芯片會(huì)和M1一樣，采用5nm的制程，因此也可以推斷出該芯片較當(dāng)前的M1系列在性能（或指單個(gè)核心）和能效方面的提升相對有限。

考慮到臺(tái)積電當(dāng)前在3nm工藝上遇到了挑戰(zhàn)，保守估計(jì)其在明年下半年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，此番蘋果也是為了保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

不過，蘋果似乎提出了新的解決方案，他們計(jì)劃在二代芯片上使用兩個(gè)單芯片的組合，從而實(shí)現(xiàn)更多核的計(jì)算能力。舉個(gè)例子，在對性能要求較高的臺(tái)式Mac上，蘋果可能會(huì)以現(xiàn)有的M1 Pro/M1 Max為基礎(chǔ)擴(kuò)展出兩個(gè)Die的芯片，即本質(zhì)上形成雙M1 Max設(shè)計(jì)，從而使其（多核）性能實(shí)現(xiàn)翻倍。

這里的Die指的是芯片未封裝前的晶粒，是從硅晶元(Wafer)上用激光切割而成的小片(Die)，每一個(gè)Die就是一個(gè)獨(dú)立的功能芯片，它的里面又細(xì)分為幾個(gè)小單元，每個(gè)小單元稱為一個(gè)chip。我們平常在PCB板子上看到的“芯片”其實(shí)就是將Die封裝而成的。

至于為什么要封裝，則是因?yàn)樗诳諝庵袝?huì)與各種雜質(zhì)接觸后產(chǎn)生電路腐蝕，影響性能。而且沒有封裝的芯片，很容易在操作過程中產(chǎn)生劃痕。當(dāng)Die被封裝在一個(gè)支撐物之內(nèi)，這個(gè)封裝可以防止物理損壞（如碰撞和劃傷）以及化學(xué)腐蝕，并提供對外連接的引腳，這樣就便于將芯片安裝在PCB里。

回到蘋果芯片，之前也有業(yè)內(nèi)人士爆料蘋果的最高端的芯片或?qū)⒉捎盟膫€(gè) Die 的設(shè)計(jì)，綜上可推測未來的二代和三代Apple Silicon芯片設(shè)計(jì)都是在M1基礎(chǔ)上的排列組合，通過“堆疊”來獲得更高的處理性能。

蘋果當(dāng)前已發(fā)布的M1芯片的CPU配備 8 核中央處理器，其中包括4個(gè)高性能核心和4個(gè)高能效核心。而M1 Pro的CPU最高擁有 8 個(gè)性能核心與 2 個(gè)效能核心，CPU性能比 M1 最多快 70%，GPU 性能最高提升 2 倍。M1 Max的CPU核心還是八大二小共10個(gè)，不過GPU圖形核心再次翻番到32個(gè)，性能也全部翻倍或者接近翻倍。

由以上參數(shù)可見，M1系列的CPU核心最高為10核，如果二代而三代芯片是在此基礎(chǔ)上迭代，2年后芯片最高可以擁有40核也在常理之中，再加上臺(tái)積電的3nm工藝，個(gè)人PC的處理性能或許會(huì)在這幾年內(nèi)得到質(zhì)的飛躍。蘋果邁出的成功的一步，也讓愛擠牙膏的老朋友英特爾壓力巨大。

作為消費(fèi)者，也可以樂見未來個(gè)人PC的無限可能。