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              中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功,通過太空驗證

              近日,據(jù)中國科學院微電子研究所消息,該所劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團隊等開展合作,共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統(tǒng),已成功通過太空第一階段驗證并實現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。

              編輯/李雅
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